Микросхемы серии 1015

	КН1015ПЛ5А,Б,В
	КН1015ПЛ5Г
	КФ1015ПЛ4 А,Б
	КН1015ПЛ4А,Б
	КФ1015ПЛ2А,Б
	КН1015ПЦ33
	КФ(КН)1015ПЦ4А,Б
	КФ(КН)1015ПЦ2А,Б,В
	КН1015ХЛ2

КН1015ПЛ5 А,Б,В

Предназначена для построения современных экономичных цифровых ФАПЧ

синтезаторов частот КВ, УКВ, СВЧ диапазонов. Интерфейс программирования – параллельный.

I. ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ БИС

(Т=20^оС; Ucc=+5B +-10% , допустимый рабочий диапазон Ucc = 2,5…6,0В )

  Параметр, обозначение параметра
Знач.парам.
Ед .изм.
   Примечание
Диапазоны коэффициентов деления ДПКДv ( шаг 1),                            Nv

225 — 131071

ед.

вывод 40
Диапазон коэффициентов деления ДПКДr (шаг 1),                              Nr

3 – 8191

ед.

вывод 37
Диапазон рабочей частоты ДПКДv,  fiv

10 – 900

10 – 800

5 – 600

    МГц
группа «А»

группа «Б»

группа “В”

Диапазон рабочей частоты ДПКДr,   fir
0,1 – 80
    МГц
группа “А”
Максимальная входная частота ЧФД,                                                                 fir max
5
    МГц

Чувствительность по ВЧ входу ДПКДv,                                        Sv
0,2 – 0,8
В эфф.
вывод 19
Чувствительность по входу ОГ ,      Sr
0,1 — 0,15
В эфф.
вывод 22
fir=10МГц
Максимальное напряжение стока NМОS-транзистора,                   U max
12

9
     B
вывод 42     Ids=0,1мА
Ids=3 мА
Максимальное остаточное напряжение стока NMOS-транзистора, не более,                                Udsmin

0,1


B

Ids=10мА
Крутизна NMOS-транзистора, не менее,                                          S

40

мА/В

Выходное сопротивление выхода ЧФД,
не более,                                     Ro

600

Ом

вывод 39
Входные токи низкого уровня, не менее,                                         IiL
-5
-15
    мкА
выводы 2…18, 20,24…36,19, 22
Входные токи высокого уровня, не более,                                         IiH
0,1
15
    мкА
выводы 2…18, 20, 24…36, 19, 22
Ток потребления максимальный
( группа «А»),                           Icc max
17

     мА
Ucc=5,5В
fiv=900МГц; Nv=225 fir=10МГц; Nr=400
Градиент изменения тока потребления (группа «А»),                                Icc
61,0 — 1,1
63,7 — 3,8
     мА
fiv=+-100 МГц, Ucc=5В;Ucc=+ -1В, fiv=800 МГц
Ток потребления типовый ,            Icc
5

     мА
Ucc=3,5В; fiv=500МГц fir=10МГц;Nr=400; Nv=225
Масса микросхемы
(корпус Н14.42–1вн,металлокерамика)
не более 2,0
      г
шаг выводов - 1 мм
Диапазон рабочих температур,    Tamb
— 60 … +85
^оС

Технические условия Главного конструктора……АДБК.431320.562 ТУ ГК .

Вид приемки: — ОТК.

ПРИМЕЧАНИЕ. R1,R4…R33=1–1,5 МОм. Если входы программирования оставить свободными, то Nv =131071, Nr = 8191.

Маркировка БИС по группам : Приемка ОТК: «А» — три красные точки слева на крышке корпуса в области вывода 1;
«Б» - две красные точки; «В» — одна красная точка

III. НАИМЕНОВАНИЕ ВЫВОДОВ

1 – Общий , GND

2 … 18 – Входы программирования коэффициентов деления Nv, ДПКДv

(выв.2 – СЗР., выв.18 — МЗР). Делитель представляет собой, несмотря

на наличие предделителя 15/16, 17- разрядный двоичный ДПКД с

минимальным коэффициентом 225.

19 – ВЧ вход ДПКДv, fiv

20 – Вход блокировки программирования ДПКДv и ДПКДr , Е

21 – Питание, +Ucc

22 – Вход ОГ , fir

23 – Выход ОГ

24 … 36 – Входы программирования коэффициентов деления Nr, ДПКДr

(выв.24 – МЗР., выв.36 – СЗР).

37 – Выход ДПКДr (открытый сток) , Nr

38 – Выход контроля захвата ФАПЧ , LD

39 – Выход ЧФД с 3-мя состояниями, pDout

40 – Выход ДПКДv (открытый сток) , Nv

41 – Затвор NМОS – транзистора

42 – Сток NМОS – транзистора

Конденсаторы: Резисторы: ZQ – кварцевый резонатор 10,0МГц

С1=10нФ+-20%; С2=100пФ+-20% R1=50 Ом+-5%; R2,R3=1кОм+-5%; HL1 — светодиод АЛ307БМ — индикация

С3=47пф+-20%; С4*=4 — 20пФ+-20%; R4=3,3кОм+-5%; R5=5,1кОм+-5%; отсутствия захвата ФАПЧ

С5=1,0 мкФ+-20%; С6=10нФ+-20%; R6=1кОм+-5%; R7=10кОм+-5%; R8=5,1кОм +-5%

Номиналы всех элементов могут быть изменены в пределах, не допускающих повреждения БИС.

V. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ.

1. Обязательное соблюдение правил включения КМОП ИС: напряжение питания на БИС подключается в первую очередь, после — внешние сигналы на входы БИС (допускается одновременное подключение питания и внешних сигналов), амплитуда которых не должна превышать +Uсс.

2. Обязательно соблюдение мер защиты от статэлектричества (максимальный статический потенциал на выводах — 150 В): браслет на руке монтажника, заземленное жало паяльника, при этом пайку выводов БИС выполнять паяльником с рабочим напряжением не более 24 В.

3. Изменение коэффициентов Nv и Nr блокируется при соединении вывода 20 с выводом 1.

4. Для повышения надежности программирования коэффициентов Nv и Nr (при записи лог.1) соответствующие выводы БИС рекомендуется соединять с выводом 21.

4. Для контроля коэффициентов Nv и Nr требуется подключение R2, R3=1 кОм (см. схему включения). Выходные импульсы ДПКДv (отрицательной полярности) длительностью tv =16*Твч, где Твч- период ВЧ сигнала на выв.19. Выходные импульсы ДПКДr (отрицательной полярности) длительностью tr =Тог, где Тог — период сигнала опорного генератора.

5. ОГ на кварцевом резонаторе в приведенной схеме включения работает на частоте параллельного резонанса. Конденсатор С4 позволяет подстраивать в узком диапазоне частоту кварцевого генератора.

6. При работе с внешним генератором сигнал подается на выв.22 через разделительный конденсатор Ср=1–10нФ.

7. Резистор R1 в цепи питания БИС ограничивает сквозной ток в случае тиристорного эффекта (защелки), возникающего при наличии мощных импульсных помех по входам или по цепям питания микросхемы.

8. Нестабильная работа ДПКДv может быть вызвана слишком большой амплитудой ВЧ сигнала на выв.19.

Значение постоянного уровня напряжения на выв.19 (без подачи ВЧ сигнала) близко к 0,5Uсс

(при Rвх >250 kОm).

9. Коэффициенты деления ДПКДv могут быть и меньше минимального значения Nvmin=225:

30, 31, 45…47, 60…63, 75…79, 90…95, 105…111, 120…127, 135…143, 150…159, 165…175, 180…191, 195…207, 210…223.

10. На крышку корпуса Н14.42–1вн, которая соединена с выв.21, подается напряжение питания +Uсс.

11. Если управляющая характеристика ГУН — положительна (частота ГУН растет с ростом V фнч), то при включении БИС в кольцо ФАПЧ обязательно применение инвертирующего ФНЧ.